RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
35
Autour de 31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2353
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link