RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
77
Autour de 69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
77
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1267
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link