RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston HX424C15PB/4 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
68
Autour de 65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
68
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1310
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link