RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de 8% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
19200
Autour de 1.22 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
23400
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3377
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB Comparaison des RAM
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FH 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link