RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3348
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link