RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
30
Autour de 20% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
30
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3571
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link