RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
84
Autour de 71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
84
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1486
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link