RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2046
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link