RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
38
Autour de 37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
38
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2825
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link