RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
24
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1983
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link