Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    22 left arrow 24
    Autour de -9% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    17.7 left arrow 16
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.7 left arrow 12.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 19200
    Autour de 1.11 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    24 left arrow 22
  • Vitesse de lecture, GB/s
    16.0 left arrow 17.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    12.5 left arrow 12.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2925 left arrow 3075
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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