RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
25
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2073
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link