RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Team Group Inc. 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Team Group Inc. 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2873
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link