RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de 8% latence réduite
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
26
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3757
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link