RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
46
Autour de 48% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
46
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3045
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link