RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
24
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
16
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2708
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link