RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
24
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
19
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3336
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link