RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
9.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1497
3052
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link