RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
28
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
21
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3077
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link