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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
28
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3077
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
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