RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
46
Autour de -142% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
3200
Autour de 5.31 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
19
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
17000
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2994
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kllisre 0000 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link