RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
46
Rund um -142% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
14.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2994
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link