RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
34
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
2938
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link