RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
2933
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link