RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
26
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
2495
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link