RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
26
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
3964
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link