RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
3845
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link