RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
39
Autour de 33% latence réduite
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
39
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
2600
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link