RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
2002
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link