RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
44
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
44
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
2374
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link