RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
2841
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link