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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
3141
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
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