RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.6
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1610
2846
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link