RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.9
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1922
3495
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link