RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Comparez
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
28
Autour de 21% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
22
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.1
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3080
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link