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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
42
73
Autour de 42% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
73
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
1822
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
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