Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

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Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB

Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Différences

  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    649.8 left arrow 1,433.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    6400 left arrow 5300
    Autour de 1.21% bande passante supérieure
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    66 left arrow 69
    Autour de -5% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 2
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latence dans PassMark, ns
    69 left arrow 66
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2,050.0 left arrow 3,234.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    649.8 left arrow 1,433.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    274 left arrow 462
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons