Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Punteggio complessivo
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Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB

Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    649.8 left arrow 1,433.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    6400 left arrow 5300
    Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    66 left arrow 69
    Intorno -5% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 2
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112S64CP6-Y5 1GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    69 left arrow 66
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,050.0 left arrow 3,234.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    649.8 left arrow 1,433.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    274 left arrow 462
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