RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Comparez
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Note globale
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
44
Autour de -83% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
1,892.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
24
Vitesse de lecture, GB/s
6,181.5
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,892.9
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
851
2821
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link