RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Comparez
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Note globale
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
56
Autour de -47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.4
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
2,475.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8800
Autour de 1.93 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,878.3
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,475.5
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8800
17000
Other
Description
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
598
2110
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparaison des RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link