Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

総合得点

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

考慮すべき理由
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

38 56

周辺 -47% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

9.4 4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

8.3 2,475.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 8800

周辺 1.93 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

56 38
読み出し速度、GB/s

4,878.3 9.4
書き込み速度、GB/秒

2,475.5 8.3
メモリ帯域幅、mbps

8800 17000

Other

商品説明

PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

no data 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

598 2110

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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