RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Comparez
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Note globale
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Note globale
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
56
Autour de -107% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
5.4
2,475.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8800
Autour de 2.18 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
27
Vitesse de lecture, GB/s
4,878.3
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,475.5
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8800
19200
Other
Description
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
598
1774
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparaison des RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link