RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Comparez
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Note globale
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de 31% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1976
2852
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link