RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
54
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
54
35
Vitesse de lecture, GB/s
9.2
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2105
3423
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link