RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
51
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
37
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3529
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link