RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
51
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
37
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3529
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link