RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
57
Autour de -78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
32
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
2528
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link