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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
57
Autour de -159% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
22
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
2633
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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