RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Comparez
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Note globale
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
57
Autour de -171% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
57
21
Vitesse de lecture, GB/s
6.8
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.5
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1244
3167
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link