RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
77
Autour de -166% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2816
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link